کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1498479 | 1510926 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Absorption of crystal/amorphous interfacial dislocations during in situ TEM nanoindentation of an Al thin film on Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Indentation of an Al film cross-section in situ in a transmission electron microscope at room temperature provides a direct observation of the absorption of threading dislocations by the metal/amorphous interface. The process occurs at a stress of about 100 MPa, a value that has been both calculated using finite-element modelling and directly measured from the dislocation radii. These results indicate that the strength of metallic thin films on oxidized substrates may therefore be weakly dependent on threading and interfacial dislocations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 74, March 2014, Pages 44–47
Journal: Scripta Materialia - Volume 74, March 2014, Pages 44–47
نویسندگان
Ludvig de Knoop, Marc Legros,