کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1501371 | 993379 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Titanium tellurite thick films prepared by electrophoretic deposition and their dielectric properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
TiTe3O8 ceramics and films can be well sintered below 800 °C and consequently have the potential to be used for low-temperature co-fired ceramics. TiTe3O8 thick films were fabricated by electrophoretic deposition on platinized Si substrates using TiTe3O8 powders synthesized by a conventional solid-state reaction. The permittivity of TiTe3O8 films is ∼54, with loss tan δ of ∼0.009, measured at 100 kHz. The temperature coefficients of permittivity of TiTe3O8 films and ceramics between 35 and 200 °C are +78 and −100 ppm °C−1, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Scripta Materialia - Volume 61, Issue 5, September 2009, Pages 536–539
Journal: Scripta Materialia - Volume 61, Issue 5, September 2009, Pages 536–539
نویسندگان
Xinming Su, Aiying Wu, Paula M. Vilarinho,