کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1518226 | 1511609 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tracer diffusion of Cu in CVD β-SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Tracer diffusion coefficients of 67Cu and 64Cu in CVD β-Silicon carbide (β-SiC) have been measured in the temperature range between 623 and 1373 K by use of a serial ion-beam sputter-microsectioning technique. The temperature dependence of the diffusion coefficient D is expressed by DCu*=8.2-0.5+0.5Ã10-16exp(-41±1kJmol-1/RT)m2s-1. The diffusion coefficient of Cu in β-SiC is larger than those of Si and C by more than six orders of magnitude and those of Fe and Cr by one-three orders of magnitude. The activation energy for the diffusion of Cu is about one twentieth of that for the self-diffusion. The results suggest that an interstitial mechanism operates on the diffusion of Cu in β-SiC.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issues 2â3, FebruaryâMarch 2008, Pages 311-314
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 69, Issues 2â3, FebruaryâMarch 2008, Pages 311-314
نویسندگان
A. Suino, Y. Yamazaki, H. Nitta, K. Miura, H. Seto, R. Kanno, Y. Iijima, H. Sato, S. Takeda, E. Toya, T. Ohtsuki,