کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1627171 | 1516448 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal structure and photoluminescence of Tb3+ doped Y3GaO6
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فلزات و آلیاژها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A solid solution with formula (Y1−xTbx)3GaO6 (x = 0–0.5) was prepared by solid-state reaction method. Powder X-ray diffraction (XRD) shows that Y3GaO6 is isostructural to Gd3GaO6 (Cmc21), and the lattice parameters are a = 8.8364(1) Å, b = 11.0899(1) Å and c = 5.3937(1) Å. Atomic parameters were derived by Rietveld refinement of the XRD pattern. Photoluminescence (PL) spectra show a strong green emission of 543 nm from the 5D4 → 7F5 transition of Tb3+ at room and liquid nitrogen temperature. There is a wide saturation range of the PL intensity for the Tb3+ content from x = 0.04–0.20, and a long life time about 1200 μs for the green 543 nm emission at room temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 425, Issues 1–2, 30 November 2006, Pages 278–283
Journal: Journal of Alloys and Compounds - Volume 425, Issues 1–2, 30 November 2006, Pages 278–283
نویسندگان
F.S. Liu, Q.L. Liu, J.K. Liang, J. Luo, L.T. Yang, G.B. Song, Y. Zhang, L.X. Wang, J.N. Yao, G.H. Rao,