کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1642151 | 1517222 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ti/Ni/Au contacts to n-SiC after low energy implantation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of low energy implantation of P or C ions in 3 C-SiC on the properties of Ti/Ni/Au contacts has been examined for doses in the range 1013-1015 ions/cm2. Measurements of specific contact resistance, Ïc, were performed using the two-contact circular test structure. The magnitude of Ïc for the Ti/Ni/Au contacts on unimplanted SiC was 1.29Ã10â6 Ω cm2. The value of Ïc increased significantly at an implant dose of 1Ã1015 ions/cm2. The dependence of Rsh and Ïc on ion dose has been measured using both C and P implant species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 166, 1 March 2016, Pages 39-42
Journal: Materials Letters - Volume 166, 1 March 2016, Pages 39-42
نویسندگان
Patrick W Leech, Anthony S Holland, Geoffrey K Reeves, Yue Pan, Mark Ridgway, Phillip Tanner,