کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1642218 | 1517222 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of zinc stannate based all-printed resistive switching device
ترجمه فارسی عنوان
ساخت دستگاه سوئیچینگ مقاومت بر روی تمام چاپ شده روی ورق روی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اتمیزاسیون الکترو هیدرودینامیکی، ممریستور، تعویض مقاومت حافظه چاپی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی
This paper describes resistive switching in ZnSnO3 thin film deposited by electrohydrodynamic atomization. The field emission scanning electron microscope analysis showed uniform surface morphology for thin films. The active layer, a thin film comprised of ZnSnO3 nano-cubes was printed between screen printed silver (Ag) electrodes on glass substrate. Resistive switching behavior of the Ag/active layer/Ag sandwich structure was confirmed by current voltage analyses. The 3Ã3 array of memristors thus fabricated, showed characteristic OFF to ON (high resistance to low resistance) transition at low voltages, when operated between ±2 V, at 100 nA compliance currents. The memristor array exhibited stable room temperature current-voltage hysteresis, low power operation, retentivity in excess of 24 h. An ROFF/RONâ10:1 was observed at VRead=100 mV for more than 100 voltage stress cycles. All memory bits showed similar current voltage characteristics with respect to resistive switching parameters.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 166, 1 March 2016, Pages 311-316
Journal: Materials Letters - Volume 166, 1 March 2016, Pages 311-316
نویسندگان
Ghayas-ud-din Siddiqui, Junaid Ali, Yang-Hoi Doh, Kyung Hyun Choi,