کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1649066 | 1007572 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thickness effect on electrical properties of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thick films embedded with ZnO nanowhiskers prepared by a hybrid sol–gel route
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Silicon-based lead zirconate titanate thick films embedded with zinc oxide nanowhiskers (ZnOw–PZT) were prepared by a hybrid sol–gel route. ZnOw–PZT films with thickness from 1.5 μm to 4 μm are perovskite structure and have smooth surface without any cracks. As the thickness increases, the remanent polarization and dielectric constant increase, but the coercive field and tetragonality decrease. Compared with PZT films, the ZnOw–PZT film has the close tetragonality and electrical properties which are different from those of bulk PZT-based ceramic doped with ZnO powder. The thickness dependences of the ferroelectric and dielectric properties are attributed to the relaxation of internal stress.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 64, Issue 5, 15 March 2010, Pages 632–635
Journal: Materials Letters - Volume 64, Issue 5, 15 March 2010, Pages 632–635
نویسندگان
Q.L. Zhao, M.S. Cao, J. Yuan, R. Lu, D.W. Wang, D.Q. Zhang,