کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667154 | 1008844 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dielectric oxynitride LaTiOxNy thin films deposited by reactive radio-frequency sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
LaTiOxNy thin films have been deposited by RF sputtering on (001) Nb-doped SrTiO3 and (001) MgO single-crystalline substrates at high temperature (TS = 800 °C) under different nitrogen ratios in the plasma (vol.% N2 = 0, 25, 71). The band gaps ranged from Eg = 3.30 eV for the epitaxial transparent film containing no nitrogen to Eg = 2.65 eV for the textured coloured film containing a moderate amount of nitrogen. Dielectric characterization in the frequency range [100 Hz–1 MHz], using a metal-insulator-metal structure, has shown a stable permittivity and loss tangent of the epitaxial low-nitrided LaTiOxNy film with values of ε′ = 135 and tanδ = 1.2 10− 2 at 100 kHz (RT).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4536–4540
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4536–4540
نویسندگان
A. Ziani, C. Le Paven-Thivet, D. Fasquelle, L. Le Gendre, R. Benzerga, F. Tessier, F. Cheviré, J.C. Carru, A. Sharaiha,