کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667168 | 1008844 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magneto-electrical transport in V-patterned La0.7Sr0.3MnO3 nanostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the electrical transport and magnetic field dependence of nano-patterned La0.7Sr0.3MnO3 devices. We find that the resistivity versus temperature dependence is the same as that observed in thin films, indicating that our nano-patterning preserves the fundamental properties of the material. At temperatures below 20 K there is resistivity upturn of ~ 5 % in the smallest and thinnest device. Structures in a “V” pattern were fabricated in order to investigate domain wall resistance. We find a much smaller resistance area product as compared to previous reports observed in nanoconstrictions and also that the switching field matches that in micromagnetic simulations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4600–4603
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4600–4603
نویسندگان
L.E. Calvet, G. Agnus, Y. Vaheb, Y.C. Lau, V. Pillard, Ph. Lecoeur,