کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667180 | 1008844 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Zinc vacancies and interstitials in ZnO nanorods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nominally undoped ZnO nanorods, grown by a chemical method, have been post-treated to intentionally incorporate high concentrations of zinc vacancies and zinc interstitials and were studied with electron microscopy and low temperature photoluminescence spectroscopy. The Zni are related to the 3.405 eV peak at 4.2 K, verifying that Zni is a shallow donor lying 30 meV below the conduction band minimum, while the acceptors VZn are related to the 3.308 eV peak at 4.2 K and have an activation energy of 123 meV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4654–4657
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4654–4657
نویسندگان
N. Boukos, C. Chandrinou, A. Travlos,