کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667196 | 1008844 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation on indium concentration dependence of solution processed indium tin oxide thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effect of the indium content in indium tin oxide (ITO) films fabricated using a solution-based process and ITO channel thin film transistors (TFTs) was examined as a function of the indium mole ratio. The carrier concentration and resistivity of the ITO films could be controlled by the appropriate treatments. The TFTs showed an increase in the off-current due to the enhanced conductivity of the ITO channel layer with increasing indium mole ratios, producing an increase in the field effect mobility. The characteristics of the a-ITO channel TFT showed the best performance (μFE of 3.0 cm2 V− 1 s− 1, Vth of 2.0 V, and S value of 0.4 V/decade) at In:Sn = 5:1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4726–4729
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4726–4729
نویسندگان
C.H. Jung, J.Y. Lee, L.S. Pu, K.S. Lee, D.H. Yoon,