کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1667200 | 1008844 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic layer deposited TiO2 for implantable brain-chip interfacing devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we investigated atomic layer deposition (ALD) TiO2 thin films deposited on implantable neuro-chips based on electrolyte-oxide-semiconductor (EOS) junctions, implementing both efficient capacitive neuron-silicon coupling and biocompatibility for long-term implantable functionality.The ALD process was performed at 295 °C using titanium tetraisopropoxide and ozone as precursors on needle-shaped silicon substrates. Engineering of the capacitance of the EOS junctions introducing a thin Al2O3 buffer layer between TiO2 and silicon resulted in a further increase of the specific capacitance. Biocompatibility for long-term implantable neuroprosthetic systems was checked upon in-vitro treatment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4745–4748
Journal: Thin Solid Films - Volume 520, Issue 14, 1 May 2012, Pages 4745–4748
نویسندگان
E. Cianci, S. Lattanzio, G. Seguini, S.Vassanelli, M. Fanciulli,