کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676858 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth process and structure of Er/Si(100) thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The solid-phase reactive epitaxial growth processes and structures of Er/Si(100) thin films were investigated by coaxial impact-collision ion scattering spectroscopy (CAICISS), scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). The as-deposited Er film grown at room temperature was transformed into crystalline rectangular-shaped islands after annealing at 900 °C. These islands have a hexagonal AlB2-type structure and the epitaxial relationship is determined to be ErSi2(011¯0)[0001]//Si(100)[011¯]. It has been revealed that the surface of the Er silicide island is terminated with an Er plane.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 82–85
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 82–85
نویسندگان
S. Fujii, Y. Michishita, N. Miyamae, H. Suto, S. Honda, H. Okado, K. Oura, M. Katayama,