کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676887 | 1518093 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The challenges in guided self-assembly of Ge and InAs quantum dots on Si
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The topic of guided self-assembly of Ge and InAs quantum dots on Si (001) substrates via epitaxy is discussed. A buried misfit dislocation network can be used to guide the assembly process through the associated strain field. Patterned substrates can also be used to guide the assembly process. This paper discusses the recent experimental and theoretical studies of the guided assembly process with an emphasis on what remains to be understood.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 195–199
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 195–199
نویسندگان
Z.M. Zhao, T.S. Yoon, W. Feng, B.Y. Li, J.H. Kim, J. Liu, O. Hulko, Y.H. Xie, H.M. Kim, K.B. Kim, H.J. Kim, K.L. Wang, C. Ratsch, R. Caflisch, D.Y. Ryu, T.P. Russell,