کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676897 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strain relaxation by stripe patterning in Si/Si1 − xGex/Si(100) heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The relaxation of strain in Si/Si1 − xGex/Si(100) heterostructure by stripe patterning in [110] direction has been investigated using Raman scattering spectroscopy. It is found that the strain is relaxed by stripe patterning and that the degree of strain relaxation becomes larger for a narrower stripe, higher Ge fraction, and thinner capping Si layer. Even for the 5 μm-width line, the strain relaxation was observed at 0.4 μm inside of the stripe-patterned heterostructure. Therefore, it is suggested that strain relaxation in Si1 − xGex layer proceeds in the region from the stripe edge to the inner position of 0.4 μm away from the edge.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 239–242
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 239–242
نویسندگان
Jangwoong Uhm, Masao Sakuraba, Junichi Murota,