کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676901 | 1518093 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Local wet-oxidation characteristic of strained-Si/SiGe-on-insulator
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have applied wet oxidation to the isolation and gate oxidation of strained-Si/SiGe-on-insulator (SGOI) wafers. Wet oxidation of Si0.8Ge0.2 at 700 °C proceeds 30 times as fast as the oxidation rate of strained-Si and without forming a Ge condensed layer behind (SiGe)O2. P-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) on 15% Ge strained-Si/SGOI wafers were fabricated using wet oxidation to simultaneously form the (SiGe)O2 field oxide and the gate SiO2. Transconductance was found to be enhanced by 50% when compared with unstrained SOI devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 256–259
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1–2, 5 June 2006, Pages 256–259
نویسندگان
M. Nishisaka, O. Shirata, D. Sakamoto, T. Enokida, H. Hagino, T. Asano,