کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1676902 | 1518093 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-selective thin SiGe strain-relaxed buffer layers: Growth and carbon-induced relaxation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
As an economically more attractive alternative to the classical thick graded strain-relaxed SiGe Buffer layers (SRB), we have developed a thin SRB based on a 200-nm-thick homogeneous Si0.8Ge0.2 layer with a C-doping spike inserted in about the middle of the layer. This C-doping layer enhances strongly the relaxation of the layer to â¼Â 80%, when compared to samples without C layer. The thin SRB shows threading defect densities â¤Â 107/cm2 and a very smooth surface (RMS < 1 nm). The relaxation mechanism appears to be very similar to the “Modified Frank Read” (MFR) mechanism as developed by Legoues et al. [F. Legoues, B. Meyerson, J. Morar and P. Kirchner; J. Appl. Phys. 71 (1992) 4230.]. In our case, the MFR source for dislocation nucleation may consist of tiny SiC precipitates.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1â2, 5 June 2006, Pages 260-265
Journal: Thin Solid Films - Volume 508, Issues 1â2, 5 June 2006, Pages 260-265
نویسندگان
Matty Caymax, Romain Delhougne, Mike Ries, Martina Luysberg, Roger Loo,