کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1689436 | 1011229 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal stability of GdScO3 and LaLuO3 films prepared by liquid injection MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have studied thermal stability of GdScO3 and LaLuO3 films prepared by liquid injection metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). In the present work, we report on the characterization of LaLuO3 and GdScO3 thin dielectric films by SIMS and capacitance–voltage (C–V) measurements. In both GdScO3 and LaLuO3 films, SIMS analysis revealed the presence of a silicate interfacial layer. The C–V characteristics were found to be shifted after thermal treatment to negative and positive voltages for GdScO3 and LaLuO3 films, respectively. Furthermore we have observed that LaLuO3 films exhibit C–V characteristics more stable to annealing conditions compared with GdScO3 films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 1, 25 August 2009, Pages 170–173
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 1, 25 August 2009, Pages 170–173
نویسندگان
A. Vincze, R. Lupták, K. Hušeková, E. Dobročka, K. Fröhlich,