کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691038 | 1011291 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Epitaxial growth of SnO2 film on Sn-doped TiO2(110)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using a simple vacuum deposition-and-annealing method, Sn-doped TiO2 (110) single crystals were prepared. Compared with the case of a pure TiO2 substrate, the lattice mismatch between SnO2 and the Sn-doped TiO2 was reduced to −2.85% for the a-axis from −3.25 to −2.85% and for the c-axis from −7.35 to −6.62%. Surface morphologies of deposited SnO2 films were compared on the Sn-doped TiO2 (110) and on the pure TiO2 (110). Results showed that the use of Sn-doped TiO2 (110) single crystal as a substrate was favorable for growing epitaxial SnO2 (110) films.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 5, 10 December 2009, Pages 597–601
Journal: Vacuum - Volume 84, Issue 5, 10 December 2009, Pages 597–601
نویسندگان
Shunichi Hishita, Petr Janeček, Hajime Haneda,