کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1691260 | 1011305 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase formation, chemical composition and electrical studies of Ti/Si bilayer system
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The annealing effects over a range of temperatures of the titanium film (90 nm) grown on Si(111) by electron gun evaporation technique were investigated using physical and electrical measurements. Grazing Incidence X-ray Diffraction experiment shows a stable titanium disilicides formation at higher annealing temperature. The depth profiling data using X-ray Photoelectron Spectroscopy show that the properties are closely related to the change of the interfacial layer and chemical state under the high-temperature annealing. The Schottky Barrier Height, as estimated by the current–voltage measurement is 0.75, 0.695, 0.662 and 0.60 eV for pristine and annealed samples at 450, 550 and 700 °C respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 83, Issue 6, 12 February 2009, Pages 931–935
Journal: Vacuum - Volume 83, Issue 6, 12 February 2009, Pages 931–935
نویسندگان
Chhagan Lal, Renu Dhunna, I.P. Jain,