کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1808155 | 1525147 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Substitutional Co dopant on the GaAs(110) surface: A first principles study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using the first principles ground state method, the electronic properties of single Co dopant replacing one Ga atom on the GaAs(110) surface are studied. Our calculated local density of states (LDOS) at Co site presents several distinct peaks above the valence band maximum (VBM), and this agrees with recent experiments. Moreover, the calculated STM images at bias voltages of 2 eV and −2 eV also agree with experiments. We discussed the origin of Co impurity induced distinct peaks, which can be characterized with the hybridization between Co d orbitals and p-like orbitals of surface As and Ga atoms.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 502, 1 December 2016, Pages 1–4
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 502, 1 December 2016, Pages 1–4
نویسندگان
Zhou Fang, Zhijun Yi,