کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814269 | 1525258 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
EPR line width and spin-relaxation rates of shallow and deep donors in isotopically controlled silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results of a numerical calculation of the contribution of ligand superhyperfine interactions to the line width for the phosphorus donor electron in silicon are reported and show linear behavior at lower concentrations compared to deep centers. The linear dependence for the phosphorus center in silicon predicts an electron spin-relaxation time for isotopically purified Si28:P longer than expected on the basis of the common square-root law. The confrontation of line width in deep-level centers with shallow states confirms that the behavior depends on the distribution of spin density around the paramagnetic center.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 395, Issues 1–2, 31 May 2007, Pages 65–68
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 395, Issues 1–2, 31 May 2007, Pages 65–68
نویسندگان
D.V. Guseinov, A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan,