کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814977 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Retardation of boron diffusion in SiGe alloy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the effect of Ge on the retardation of B diffusion in SiGe alloys through first-principle calculations, and find that the Ge bonding effect is most significant in the nearest-neighborhood of B. The B dopant diffuses from a self-interstitial–B pair via an interstitialcy mechanism for neutral charge state, while a kick-out mechanism is also possible for 1+ charge state. The migration and activation energies depend on the number and positions of the Ge atoms and are generally enhanced by the presence of Ge, reducing the B diffusivity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 196–199
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 196–199
نویسندگان
Junhyeok Bang, Hanchul Kim, Joongoo Kang, Woo-Jin Lee, K.J. Chang,