کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1864307 | 1037719 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Hydrogenic impurity states in a wurtzite InGaN quantum dot
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک و نجوم (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Within the framework of effective-mass approximation, we calculated variationally the binding energy of a hydrogenic donor impurity in a cylindrical wurtzite (WZ) InGaN/GaN strained quantum dot (QD), including the strong built-in electric field effect due to the spontaneous and piezoelectric polarizations. It is found that the donor binding energy is highly dependent on the impurity position and QD size. In particular, we found that the donor binding energy is independent of dot height when the impurity is located at the right boundary of the WZ InGaN strained QD with large dot height (⩾2.5 nm).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physics Letters A - Volume 359, Issue 2, 13 November 2006, Pages 161-165
Journal: Physics Letters A - Volume 359, Issue 2, 13 November 2006, Pages 161-165
نویسندگان
C.X. Xia, S.Y. Wei,