کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
448797 1443151 2015 6 صفحه PDF 15 صفحه WORD دانلود کنید
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-voltage high-gain large-capacitive-load amplifiers in 90-nm CMOS technology
ترجمه فارسی عنوان
تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری CMOS با اندازۀ 90 نانومتری
کلمات کلیدی
تقویت کننده های چند مرحله ای، تقویت کننده سه مرحله ای، جبران فرکانس، جبران تو در تو میلر، بازخورد فعال
فهرست مطالب مقاله
چکیدهکلیدواژه‌ها1.مقدمه2. ساختارهای تقویت‌کننده‌های ارائه شدهشکل1. تقویت‌کننده‌های بهره پایین امپدانس پایین برای مراحل واسط.شکل2. دیاگرام بلوکی تقویت‌کنندۀ ارائه شده با تک‌خازن میلر و مسیرهای پیشخورد (SMF). شکل3. دیاگرام بلوکی تقویت‌کنندۀ با بار سنگین ارائه شده با پسخورد فعال میلر (AMF). 
  3.پاسخ AC و شرایط پایداریشکل4. دیاگرام توزیع‌های صفر و قطب هدف برای (الف) قطب‌های مختلط و (ب) قطب‌های حقیقی. 4. پیاده‌سازی مداری تقویت‌کننده‌هاشکل5. پیاده‌سازی مداری تقویت‌کننده‌های ارائه شده. شکل6. طرح‌های تقویت‌کننده‌های محقق شده: (الف) SMF و (ب) AMF.  5. نتایج شبیه‌سازی و کاربردهاجدول یک : پارامتری داری و اندازه‌های تجهیز به کار رفته در شبیه‌سازی‌هاشکل9. نتایج تحلیل مونت کارلو برای حاصلضرب بهره در پهنای باند و حاشیه فاز.
 جدول 2 : خلاصۀ عملکرد شبیه‌سازی.جدول 3 : مقایسۀ تقویت‌کننده‌های مختلف چندمرحله‌ای.شکل7. نتایج شبیه‌سازی برای پاسخ فرکانسی حلقه باز: (الف) SMf (CL = 150 pF) و (ب) AMF (CL=15nF)شکل8. پاسخ گذرای شبیه‌سازی. شکل9. فیلتر مرتبه اول با استفاده از تقویت‌کنندۀ SMF.شکل11. پاسخ دامنۀ فیلتر. شکل12. IP3 مربوط به فیلتر. نتیجه‌گیری
ترجمه چکیده
در این مقاله تقویت‌کننده‌های عملیاتی نوع هدایت انتقالی چندمرحله‌ای ولتاژ پایین و توان پایین با تقویت بهرۀ موثر و جدید و طرح‌های جبرانسازی فرکانس ارائه می‌شود. تقویت‌کننده‌های نامبرده به منظور راه‌اندازی (درایو) بارهای خازنی بزرگ با مصرف کم توان در منابع تغذیۀ ولتاژ پایین طراحی شده‌اند. طرح‌های جبرانسازی از یک تک خازن میلر بهره برده و دارای یک پسخورد فعال جهت تشکیل حلقه‌های اصلی پسخورد منفی برای تقسیم قطب و دو مسیر پسخورد هستند. تکنیک جدید تقویت بهره که در اینجا بحث می‌شود با داشتن اثر ناچیز روی پاسخ فرکانسی موجب بهبود بهرۀ dc می‌شود. رویه‌های تحلیل و طراحی بحث شده و ارتقاء عملکرد این تقویت‌کننده‌ها به تایید می‌رسد. تقویت‌کننده‌های عملیاتی نوع هدایت انتقالی در یک فرایند CMOS با اندازۀ استاندارد 90 نانومتری پیاده‌سازی شده و نتایج شبیه‌سازی پُست لِی‌اوت گزارش می‌شود. این تقویت‌کننده‌ها در تغذیۀ 5/0 ولت، مصرف توانِ 7/8 میکرووات و 1/8 میکرووات دارند و موقع راه‌اندازی (درایو کردن) بارهای خازنی 150 پیکوفاراد و 15 نانوفاراد به ترتیب حاصلضرب بهره در پهنای باند برابر 65/12 مگاهرتز و 2 مگاهرتز را بدست می‌آورند.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر شبکه های کامپیوتری و ارتباطات
چکیده انگلیسی
Low-voltage and low-power multistage operational transconductance amplifiers with new and efficient gain boosting and frequency compensation schemes are proposed in this paper. The presented amplifiers are designed to drive large capacitive loads with small power consumption at low-voltage supplies. The compensation schemes exploit a single Miller capacitor and an active feedback to form the main negative feedback loops for pole splitting and two feedforward paths. The new gain boosting technique discussed here improves the dc gain with negligible effect on the frequency response. The analysis and design procedures are discussed and the performance enhancements of the amplifiers are verified. The proposed OTAs have been implemented in a standard 90-nm CMOS process and the post-layout simulation results are reported. The amplifiers consume 8.7 μW and 8.1 μW at 0.5-V supplies and achieve 12.65 MHz and 2 MHz gain-bandwidth products while driving 150-pF and 15-nF capacitive loads, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: AEU - International Journal of Electronics and Communications - Volume 69, Issue 3, March 2015, Pages 666–672
نویسندگان
, ,