کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
486896 | 703534 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of Temperature and Channel Doping on the BSIM3 Threshold Voltage Model of NMOSFET form Substrate Bias Dependent Methodology
ترجمه فارسی عنوان
اثرات دما و دوپینگ کانال بر روی مدل ولتاژ آستانه BSIM3 از NMOSFET از متدولوژی وابسته به زیرلابه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
NMOSFET؛ ولتاژ آستانه؛ BSIM3
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
علوم کامپیوتر (عمومی)
چکیده انگلیسی
The effects of channel doping and temperature dependence on the BSIM3 threshold voltage model of NMOSFET form substrate bias dependent methodology is proposed. The IDS -VGS in linear region with different substrate bias condition of a big size of NMOSFET was used. The threshold voltage parameters extraction procedure is based on the measurement of the transconductance characteristics of MOSFET in linear region. The electrical parameters γ, NCH and NSUB also the BSIM3 model parameter K1 and K2 at different channel implanted dose and different operating temperature are extracted. The model can be implemented in simulation tools with the error is less than 5%.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Procedia Computer Science - Volume 86, 2016, Pages 128–131
Journal: Procedia Computer Science - Volume 86, 2016, Pages 128–131
نویسندگان
Rangson Muanghlua, Surasak Niemcharoen, Amporn Poyai, Anucha Ruangphanit,