کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
492704 | 721635 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Zinc Oxynitride Films Prepared by Pulsed Laser Deposition
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های اکسینیتروید روی ساخته شده توسط رسوب لیزر پالسی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
علوم کامپیوتر (عمومی)
چکیده انگلیسی
We have studied the optimal deposition conditions for the production of low-oxygen-content Zinc nitride films (ZnON) by Pulsed Laser Deposition (PLD). In particular, substrate temperature has been varied between 100 and 500 °C. The film properties, particularly its morphology, showed a strong dependence on substrate temperature. Substrate temperatures beyond 350 °C led to highly crystalline and smooth films with a band gap of 3.32 eV and with resistivities ranging from 10-2 to 100 Ωcm. Film quality and surface oxygen content changed rapidly with exposure to air as evidenced by XPS analysis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Procedia Technology - Volume 17, 2014, Pages 303-309
Journal: Procedia Technology - Volume 17, 2014, Pages 303-309