Theoretical model and experimental analysis of chemical mechanical polishing with the effect of slurry for abrasive removal depth and surface morphology of silicon wafer

در این بررسی اثر واکنش شیمیایی دوغاب برای پلیمری مکانیکی شیمیایی و ترکیب یک مدل تحلیلی از زمان های پرداخت و تئوری نیروی نیروی خاصی برای ایجاد یک مدل نظری برای محاسبه عمق حذف سایشی یک ویفر سیلیکونی که توسط یک الگوی صاف کردن الماس برای محاسبه ضخامت لایه واکنش شیمیایی ویفر سیلیکونی، از انرژی خاصی استفاده می شود. مقایسه میانگین عمق حذف ساینده و مورفولوژی سطح ویفر سیلیکونی که از شبیه سازی و آزمایش استفاده می کند، نشان می دهد که نتایج شبیه سازی برای عمق حذف حذف ساینده و مورفولوژی سطح ویفر سیلیکونی قابل قبول است.