کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5007339 | 1461601 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Semiconductor laser using multimode interference principle
ترجمه فارسی عنوان
لیزر نیمه هادی با استفاده از اصل دخالت چند منظوره
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
Multimode interference (MMI) structure is introduced in semiconductor laser used in optical communication system to realize higher power and better temperature tolerance. Using beam propagation method (BPM), Multimode interference laser diode (MMI-LD) is designed and fabricated in InGaAsP/InP based material. As a comparison, conventional semiconductor laser using straight single-mode waveguide is also fabricated in the same wafer. With a low injection current (about 230 mA), the output power of the implemented MMI-LD is up to 2.296 mW which is about four times higher than the output power of the conventional semiconductor laser. The implemented MMI-LD exhibits stable output operating at the wavelength of 1.52 µm and better temperature tolerance when the temperature varies from 283.15 K to 293.15 K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 98, 1 January 2018, Pages 75-78
Journal: Optics & Laser Technology - Volume 98, 1 January 2018, Pages 75-78
نویسندگان
Zisu Gong, Rui Yin, Wei Ji, Chonghao Wu,