کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010204 | 1462201 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
HfO2-based resistive switching memory with CNTs electrode for high density storage
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 132, June 2017, Pages 19-23
Journal: Solid-State Electronics - Volume 132, June 2017, Pages 19-23
نویسندگان
W.K. Cheng, F. Wang, Y.M. Han, Z.C. Zhang, J.S. Zhao, K.L. Zhang,