کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5010204 1462201 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
HfO2-based resistive switching memory with CNTs electrode for high density storage
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
HfO2-based resistive switching memory with CNTs electrode for high density storage
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 132, June 2017, Pages 19-23
نویسندگان
, , , , , ,