کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5397527 | 1505871 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comparative study of amorphous silicon carbide and silicon rich oxide for light emission applications
ترجمه فارسی عنوان
بررسی مقایسه ای کاربید سیلیکون آمورف و اکسید غنی سیلیکون برای کاربردهای انتشار نور
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاربید سیلیکون، اکسید غنی سیلیکون، فوتولومینسانس،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The a-Si1âxCx:H films have been deposited at low temperature (150 °C), while thermal treatments at high temperatures were not necessary as is done for SRO in order to improve its PL intensity. The above makes a-Si1âxCx:H an alternative material for low temperature optoelectronic silicon based devices and also for flexible device applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 190, October 2017, Pages 215-220
Journal: Journal of Luminescence - Volume 190, October 2017, Pages 215-220
نویسندگان
I. Vivaldo, M. Moreno, A. Torres, R. Ambrosio, P. Rosales, N. Carlos, W. Calleja, K. Monfil, A. BenÃtez,