کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5400497 | 1505917 | 2013 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Deep level traps and the temperature behavior of the photoluminescence in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells grown on off-axis and on-axis substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photoluminescence (PL) spectroscopy from 10Â K up to 300Â K was performed on â¼50Â Ã
and â¼120Â Ã
GaAs/AlGaAs multiple quantum wells (MQWs) grown on on-axis and off-axis GaAs substrates. An anomalous quenching of the integrated PL in the 80-200 K region was observed for the on-axis substrate-grown samples. X-Ray diffractometry (XRD) showed no significant structural difference between the on- and off-axis samples. Deep-Level Transient Spectroscopy revealed more defects for the on-axis layers. The growth of â¼50 Ǻ MQW on-axis layers appears to be more susceptible to defect formation. The observed PL quenching is attributed to the presence of these traps.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 143, November 2013, Pages 517-520
Journal: Journal of Luminescence - Volume 143, November 2013, Pages 517-520
نویسندگان
Jessica Afalla, Kaye Ann de las Alas, Maria Herminia Balgos, Michelle Bailon-Somintac, Elmer Estacio, Armando Somintac, Arnel Salvador,