کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401716 | 1392718 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth conditions effects on optical properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy on GaAs (1Â 1Â 3)A substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth conditions effects on optical properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy on GaAs (1Â 1Â 3)A substrate Growth conditions effects on optical properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy on GaAs (1Â 1Â 3)A substrate](/preview/png/5401716.png)
چکیده انگلیسی
⺠Reported effect of growth conditions on optical properties of InAs QD. ⺠Detailed PL energy behavior under different growth rates and As ratio fluxes. ⺠Explained the origin of carrier localization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 2, February 2012, Pages 289-292
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 2, February 2012, Pages 289-292
نویسندگان
F. Saidi, L. Bouzaïene, L. Sfaxi, H. Maaref,