کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401969 | 1392723 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of nanostructure on optoelectronic properties of β phase polyoctylfluorene thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Longer solvent annealing time will lead to more and larger β phase PFO crystallites. ⺠PL and EL decrease with increasing solvent annealing time. ⺠Decrease of PL and EL is caused by vacancy defects generated in the crystallization process.⺠Dipping method will lead to less out-of-plane ordered structure and higher PL. ⺠Vacancy defects mainly come from the formation of out-of-plane crystalline structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 7, July 2011, Pages 1393-1396
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 7, July 2011, Pages 1393-1396
نویسندگان
He Wan, Shasha Bai, Haidong Li, Junqiao Ding, Bing Yao, Zhiyuan Xie, Lixiang Wang, Jidong Zhang,