کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
544624 | 1450539 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
300-V class power n-channel LDMOS transistor implemented in 0.18-μm silicon-on-insulator (SOI) technology
ترجمه فارسی عنوان
ترانزیستور LDMOS n-channel قدرت کلاس 300 ولت اجرا شده در تکنولوژی سیلیکون روی دیافراگم 0.18 میکرومتر (SOI)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
LDMOS; DTI; SOI; قدرت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
• The SOI platform covered wide voltage range and better performance from 70 V to 300 V.
• The platform is compatible with standard CMOS technology.
• Proposed DTI structure shows larger BV capability.
• 300 V nLDMOS shows large enough SOA for switching applications.
A SOI platform is developed for a LDMOS transistor from 70 V to 300 V. It is one of the best cases covering the wide voltage range. By applying novel DTI technology, the pitch of a single LDMOS transistor cell is reduced. Thin silicon and oxide film help to reduce the process complexity and the cost of SOI wafer. The platform is compatible with standard CMOS technology, and is appreciable for broad power IC products.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 61, June 2016, Pages 125–128
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 61, June 2016, Pages 125–128
نویسندگان
Shuai Zhang, Hsiao-Chin Tuan, Xiao-Jing Wu, Lei Shi, Jian Wu,