کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5446574 | 1511143 | 2016 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A Unified Parameterization of the Formation of Boron Oxygen Defects and their Electrical Activity
ترجمه فارسی عنوان
پارامتریک یکپارچه سازی ساختاری ضایعات اکسیژن بور و فعالیت الکتریکی آنها
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی انرژی
انرژی (عمومی)
چکیده انگلیسی
Based on the experimental results and literature data we have created a parameterization of the lifetime limitation in silicon due to BO defects. Established findings from literature for uncompensated p-type silicon are taken into account and ensure general validity. The parameterization is useful to discuss BO defect influences and can serve to predict material properties after LID.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Energy Procedia - Volume 92, August 2016, Pages 170-179
Journal: Energy Procedia - Volume 92, August 2016, Pages 170-179
نویسندگان
Tim Niewelt, Jonas Schön, Juliane Broisch, Sven Mägdefessel, Wilhelm Warta, Martin C. Schubert,