کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5447203 | 1511496 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis of Mn-doped indium antimonide nanowires by multi-step depositions and annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A novel approach to the synthesis of Mn-doped InSb nanowires is demonstrated in this work. We first report on the preparation of InSb nanowires without high temperature treatment. Indium nanowires are grown by glance angle deposition and then coated with a layer of Sb. Single crystalline InSb nanowires are obtained by annealing In/Sb nanostructures at 200 °C. Triple-layer In/Mn/Sb nanostructures are formed by the similar three-step depositions. Mn-doped InSb nanowires are prepared by annealing In/Mn/Sb nanostructures. Transmission electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy are used to analyze the structure and elemental distribution of the nanostructures. Our result shows that Mn-doped InSb nanowires can be achieved by employing solid reaction at low annealing temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 110, November 2017, Pages 43-48
Journal: Journal of Physics and Chemistry of Solids - Volume 110, November 2017, Pages 43-48
نویسندگان
Qiujun Zhang, Yuanhuan Cao, Kan Li, Huayong Pan, Shaoyun Huang, Yingjie Xing, H.Q. Xu,