کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5453073 | 1513873 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural, electronic and optical properties of layered GaSe1âxAsx
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک محاسباتی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report first-principle calculations of the structural, electronic and optical properties of β-GaSe under substitutional doping of arsenic with selenium within density functional theory. We find that the band gap not only decreases with doping concentration but also depends on the substitutional sites of Se. In addition, the substitution of As on Se-site create doping energy levels, just above the Fermi level, suggest the p-type semi-conducting behavior. Moreover, from the optical studies we observed that GaSe1âxAsx are good absorber of ultraviolet radiation while β-GaAs shows the strong absorption in visible region indicate that GaSe1âxAsx can have potential application in optoelectronic devices.
189
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Computational Materials Science - Volume 139, November 2017, Pages 31-38
Journal: Computational Materials Science - Volume 139, November 2017, Pages 31-38
نویسندگان
Bhagwati Prasad Bahuguna, L.K. Saini, Rajesh O. Sharma, Brajesh Tiwari,