کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545791 | 1450556 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optimization of gate poly TAB size and reliability on short channel pMOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this report, the effective gate tab size on pMOSFET to reduce HEIP degradation was investigated. As a result, the effects of tab size of STI edge have been studied and we could propose a design guide taking into account both reliability and process margin as a part of the design for reliability (DFR).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1185–1188
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1185–1188
نویسندگان
Jung-Eun Seok, Hyun-Joo Kim, Jae-Yong Seo, Sam-jin Hwang, Byung-Heon Kwak,