کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545792 | 1450556 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Voltage acceleration of time dependent breakdown of ultra-thin NO and NON dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Up to now the validity of the TDDB power-law model was investigated for ultra-thin single work function and dual work function gate oxides. However due to the aggressive DRAM scaling roadmap it is not clear if the reliability of the NO and NON storage dielectrics used in state of the art memory products meets the requirements of next generation technologies with the conservative exponential voltage acceleration law. It is demonstrated that experimental data of long term tests instead supports a much more progressive power-law voltage acceleration behavior with a universal exponent of n = 47 for a wide range of dielectric thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1189–1192
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1189–1192
نویسندگان
Peter Hofmann,