کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545808 | 1450556 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of temperature change inside IC packages during laser ablation of molding compound
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In addition to chemical jet etch method, decapsulation performances of electronic packages for failure analysis are virtually enhanced using lasers. Nevertheless circuits inside package could be subjected to a local thermal elevation during the package ablation process. In this paper, we introduce an innovative technique to measure the thermal behavior of an encapsulated system in situ and in real time during laser decapsulation. Measurements of the heat elevation during ablation process in the three regions of interest for failure analysis are discussed: over IC, bonding and lead-frame.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1263–1267
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1263–1267
نویسندگان
P. Schwindenhammer, H. Murray, P. Descamps, P. Poirier,