کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545815 | 1450556 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reliability assessment of integrated power transistors: Lateral DMOS versus vertical DMOS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The total safe operating area of both lateral and vertical integrated DMOS power transistors is evaluated. The electrical, hot carrier and thermal safe operating area of both devices types is investigated, and a comparison is made. It is found that the vertical DMOS exhibits a superior hot carrier and electrical safe operating area, mainly being due to the absence of a field oxide dot in the device drift region. The thermal safe operating area of LDMOS and VDMOS is identical.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1300–1305
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1300–1305
نویسندگان
P. Moens, G. Van den bosch,