کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545834 | 1450556 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation of migration effects in nanoscaled copper metallizations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The shrinking of copper interconnect dimensions for the 32 nm technology node and beyond leads to an increase of the interconnect material resistivity. Especially copper is described to have an increase of resistivity of about 50% at room temperature. For small interconnects aluminium or silver as metallization material might be considered due to better resistivity values than copper. In this investigation the migration effects in nanoscaled interconnects as well as the dynamic void formation for different interconnect materials are presented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1398–1402
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1398–1402
نویسندگان
Kirsten Weide-Zaage, Farzan Kashanchi, Oliver Aubel,