کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545837 | 1450556 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Non-linear width scaling of ESD protection devices and link with p-well implant in BCD-processes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the transfer of a BCD-process, large differences in width scaling were found in ESD protection structures. Investigation showed that the presence of a ΔVthΔVth-implant was the root cause for the non-linear relationship between device width and soft fail current. The devices also showed large differences in leakage currents. In this paper an explanation is given for both phenomena: from a theoretical point of view and based on TCAD simulations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1417–1421
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1417–1421
نویسندگان
E.H.T. Olthof, G.J. de Raad,