کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545838 | 1450556 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
ESD sensitivity investigation on a wide range of high density embedded capacitors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This work presents some results from electrical (TDDB, TLP, HBM and MM) measurements and ESD calculations/simulations on passive components such as capacitors. In a SIP context, the ESD sensitivity of innovative 3D capacitors is studied. A method to predict the failure threshold of a wide range of capacitor values under ESD events is presented and validated by measurement on silicon. This method consists of using the basic equation of the charge conservation for capacitors in parallel that is adapted to the model of the ESD event.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1422–1426
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1422–1426
نویسندگان
Frederic Barbier, Sebastien Jacqueline,