کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545853 | 1450556 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical model for multi-junction solar cells prediction in space environment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Multi-junction solar cells, as other semiconductor devices, suffer degradation of their electrical and physical properties under particle irradiation (electrons and protons) in space environment. In this paper we present an analytical model in order to make predictions of multi-junction solar cells (GaInP/GaAs/Ge) degradation in space environment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1494–1499
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1494–1499
نویسندگان
A. Gauffier, J.-P. David, O. Gilard,