کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
545855 1450556 2008 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal heating within SOI
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Thermal heating within SOI
چکیده انگلیسی
Heat diffuses from hot power devices to neighboring components such as bondpads, which shortens the lifetime of bond balls. SOI is a technology with advantages for integrated power applications. For this reason heat transport between components within one SOI die has been measured experimentally. The thermal time constants are determined. Inside an SOI transistor the heat propagates with 1 μm/μs typically until other time constants take over.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1505-1508
نویسندگان
, , , , ,