کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545855 | 1450556 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thermal heating within SOI
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Heat diffuses from hot power devices to neighboring components such as bondpads, which shortens the lifetime of bond balls. SOI is a technology with advantages for integrated power applications. For this reason heat transport between components within one SOI die has been measured experimentally. The thermal time constants are determined. Inside an SOI transistor the heat propagates with 1 μm/μs typically until other time constants take over.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8â9, AugustâSeptember 2008, Pages 1505-1508
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8â9, AugustâSeptember 2008, Pages 1505-1508
نویسندگان
J.J. Koning, S. Lecaudey, E. Spaan, M. Stoutjesdijk, J.H.J. Janssen,