کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545865 | 1450556 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Statistical aspects of reliability in bulk MOSFETs with multiple defect states and random discrete dopants
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a 3D statistical simulation study of the distribution of fractional current change and threshold voltage shift in an ensemble of realistic 35 nm bulk MOSFETs caused by charge trapping on stress generated defect states at the Si/SiO2 interface, taking simultaneously into account random discrete dopant in the transistors and the statistically realistic distribution of traps. The role of strategically positioned defect states and their statistical distribution in generating ‘anomalously’ large current and threshold voltage change in devices with microscopically different discrete doping configurations is highlighted.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1549–1552
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1549–1552
نویسندگان
Muhammad Faiz Bukhori, Scott Roy, Asen Asenov,