کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
545872 | 1450556 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
RF CMOS reliability simulations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a simulation approach to assess the reliability of an RF CMOS circuit under user conditions, based on existing DC degradation models for gate-oxide breakdown and hot-carrier degradation. The simulator allows for lifetime prediction of circuits that can withstand multiple breakdown events. Simulation results show that three power amplifiers with comparable initial circuit performance show an astronomic difference in reliability. The tool thus proves to be an asset in the analog design process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1581–1585
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 48, Issues 8–9, August–September 2008, Pages 1581–1585
نویسندگان
Guido T. Sasse, Mustafa Acar, Fred G. Kuper, Jurriaan Schmitz,