کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5462685 1517180 2017 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Diode laser annealing of epitaxy Ge on sapphire (0 0 0 1) grown by magnetron sputtering
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Diode laser annealing of epitaxy Ge on sapphire (0 0 0 1) grown by magnetron sputtering
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 208, 1 December 2017, Pages 35-38
نویسندگان
, , , , , ,